lunes, 9 de febrero de 2009
sábado, 7 de febrero de 2009
Diodos Especiales
Diodo zener:
Es un diodo en el cual siempre se utiliza una polarización inversa, es decir la corriente corre del cátodo al ánodo del diodo.
Características
- Cuando posee una polarización directa este se comporta como un diodo rectificador común .
- Al poseer una polarización inversa este mantiene entre sus terminales una corriente constante.
Diodo LED
La palabra LED es el acrónimo de Light Emitting Diode (diodo emisor de luz). Este es un semiconductor que emite luz cuando se logra polarizar directamente y es atravesado por una corriente eléctrica.
Características
- Solo funcionan en corriente directa debido a que funcionan cuando poseen una polarización directa .
- Su voltaje va desde 1.5 a 2.2 voltios y la intensidad circula por los 10 a 30 mA .
- Poseen poco consumo de trabajo, ya que un led consume 0.066W/h .
- Su vida es larga aproximadamente de 75.000 horas .
- No son afectados por golpes o vibraciones ya que no trabajan con filamentos .
Son semiconductores que generan un voltaje al ser iluminados por luz. No presentan una ganancia pero son buenos trabajando con niveles altos de luminosidad; lo cual hace que sean más eficientes que otros detectores.
Características
- Al ser polarizados directamente presentan una baja resistividad.
- Al ser polarizados inversamente tienen una alta resistencia, por lo cual es normalmente polarizado inversamente.
Los diodos varicap (Epicap, capacidad controlada por tensión o diodo de sintonía) o varactores son diodos especiales en los cuales se mantienen características de un diodo y de un capacitor. Este tipo de diodo tiene un funcionamiento parecido al de un condensador donde la capacidad esta controlada por la tensión.
En siguiente esquema se puede observar las similitudes
- Si la tensión aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye- Si la tensión disminuye la capacitancia aumenta
El diodo schottky es un diodo especial formado por metal-N. Lo cual genera como consecuencia una velocidad de conmutación mayor que la de un diodo semiconductor común.
Características
- Poca capacidad de conducción de corriente en directo, lo cual no permite que se convierta en un diodo rectificador
- Tiene una baja caída de voltaje en polarización directa (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios).
- Puede rectificar con facilidad en altas frecuencias (de 300MHz o más)
- No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente
- Es perfecto para circuitos que necesiten una alta velocidad como las computadoras.
Otros Diodos
Diodo IMPATT
(Del inglés: IMPAct Avalanche and Transit Time)
Diodo cuyo funcionamiento asocia la multiplicación por avalancha de los portadores de carga y su tiempo de propagación en la unión. Esto conduce, para ciertas frecuencias muy elevadas, a una resistencia negativa que permite utilizar el diodo en modo amplificador o en modo oscilador.
Diodo láser
Diodo electroluminescente (LED) cuya estructura contiene una cavidad óptica y que está concebido de modo que permita la emisión estimulada, y por tanto la radiación de una onda luminosa quasi-monocromática y coherente (laser).
Diodo PIN
(Del inglés P region-Intrinsic region-N region)
Unión pn semiconductora que posee dos regiones, una fuertemente dopada n, representada como n++, y otra fuertemente dopada p, representada por p++, y una zona intrínseca de dopado muy débil.
Diodo Schokley
Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutación rápida. Además, la tensión directa de este diodo es más baja que en la de un diodo semiconductor de dos regiones.
Diodo TRAPPAT
(Del inglés, TRAPped Plasma Avalanche Transit time)
Diodo de hiperfrecuencia de semiconductores que, cuando su unión se polariza en avalancha, presenta una resistencia negativa a frecuencias inferiores al dominio de frecuencias correspondiente al tiempo de tránsito del diodo. Esta resistencia negativa se debe a la generación y desaparición de un plasma de electrones y huecos que resultan de la íntima interacción entre el diodo y una cavidad de hiperfrecuencias de resonancias múltiples.
Diodo túnel
Diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador).
Diodo unitúnel
Diodo túnel cuyas corrientes de pico y valle son aproximadamente iguales.
Diodo de avalancha
Diodo de rectificación en el que, mediante una técnica apropiada, se reparte la ruptura inversa, debida al fenómeno de avalancha, en todo el volumen de la unión. El diodo soporta, así, grandes corrientes en conducción inversa sin destruirse.
